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AiP2119

AiP2119は、3つの出力を備えたパワーMOSFETおよびIGBTデバイス用の高速3相ゲートドライバです。

独立したハイサイドとローサイドのリファレンス出力チャンネル。デッドタイム保護とシュート防止機能を搭載。

ハーフブリッジの損傷を防ぐ保護回路を備えています。UVLO回路はVCCがオフになった場合の誤動作を防ぎます。

VBSは指定された閾値電圧よりも低い。新しい高電圧BCDプロセスと

コモンモードノイズキャンセリング技術により、高dV/dtでもハイサイドドライバの安定した動作を実現

優れた負の過渡電圧耐性を実現しながら、ノイズ条件にも耐えられる。イネーブルピン(ENB)は

スタンバイモードを使用してチップを低静止電流状態に設定し、長時間の動作を実現できるようにするために含まれています。

バッテリー寿命。

 

  • PN :

    AiP2119
  • 供給電圧(V) :

    5.5~16
  • 動作温度(℃) :

    -40~85
  • ハイサイドフローティング電源電圧-VB(V) :

    90
  • 出力高短絡パルス電流(A) :

    1.2
  • 出力低短絡パルス電流(A) :

    2
  • パッケージ :

    TSSOP20/TSSOP24/QFN24

90Vハーフブリッジハイサイドドライバ内蔵

デッドタイム保護機能内蔵

シュートスルー保護

VCC および VBS の低電圧ロックアウト

3.3V、5V、15V入力ロジック対応

低スタンバイ電流のためのイネーブルピン(ENB)

IO+/IO-: 1200mA/2000mA

デッドタイム: 0.5us (標準)

コモンモードdV/dtノイズキャンセル回路

負の過渡電圧に耐える

低dI/dtゲートドライブによりノイズ耐性を向上

-40°C~+85°Cの範囲で指定

パッケージ情報: TSSOP20/TSSOP24/QFN24

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